在之前的两篇文章中，我们分别介绍了Coolsic™MOSFET G2的产品和驱动特性。今天，我们将在两种情况下分析如何选择Coolsic™MOSFET G2：软开关和硬开关。在本文中引用：除了r ds（ON）外，变化的损失在MOSFETS SIC选择中也起着非常重要的作用。切换损耗可以代表60％以上，因为SICS经常使用非常高的切换频率工作，尤其是在硬开关拓扑中。目前，使用较低的开关损耗而不是G1的G2可提供明确的系统收益。让我们看一下MPPT脉冲电路的示例模拟。仿真电路：第26 MPPT模拟条件：模拟极限条件在T VJ中建立，最高140°C，G2，允许在175°的单位温度下连续运行，并且在200°/100H的超载温度下操作，在200°/100H的运行中进行操作，在此处留下相对较大的余量。比较使用40MΩG1具有40MΩ和53MΩ的G G2，我们可以看到40MΩG2的总损失与40MΩG1的损耗相同，结合温度约为1.9°（112.1°-124°C）。 Using 53MΩ G2, the losses increase significantly and the temperature of the junction increases to 141.4 ° C. However, if G2 has a low door resistance and RG it is reduced to 2.3Ω (recommended value in the data sheet), the junction temperature for 53MΩ G2 is reduced to 137.1 ° C. MPPT 32A simulation conditions: In this application scenario, the losses of 34mΩg2 and 40mΩg1它们与联合温度基本相同。如果更换了40MΩG2，则单位温度升高约8°。但是，可以通过降低RG门单元的电阻来补偿联盟温度的这种升高。将RG从4.7Ω降低到2.3Ω，并将温度40MΩG2联合赛车降低至139.4°C。这非常接近40MΩG1。通过对MPPT系统的仿真分析G2交换策略基于不同的条件（例如26A MPPT），因为硬开关系统代表了开关损失的很高比例，而驾驶损失的百分比较低。 34MΩG2为40MΩ重新满足G1会导致系统损失和设备温度下降，从而增加功率密度并减少冷却要求。在某些情况下，例如具有较高电流的MPPT或带有Buck-Boost的MPPT，您可以使用带有Lower Rdson的G2用第一年的RDSON代替G1。例如，在MPPT 32A中，您可以使用34MΩG2替换40MΩG1。您也可以在G2中使用低门强度来减少损失。在这种情况下，您可以使用40MΩG2替换40MΩ1。在软开关拓扑中可以找到G2开关拓扑的应用，例如LLC。随着零电压的打开，电源设备仅损失和损失，但并没有损失。因此，在有限责任公司的情况下，驾驶损失代表更高的百分比。模拟2的典型操作条件0KW LLC：MOSFET：IMZC120R034M2H / IMZA120R040M1H，4和最大输出，PO，Max，Max：20kW resonance频率F R：100KHz DC输入电压，V INCH，V INCH：800V 300NS仿真结果：模拟结果显示了导电损失结果DC的行为损失结果。因此，使用IMZC120R034M2H代替IMZA120R040M1H，可以使您可以在同一水平上保持联合的损失和温度。 IMZC120R026M2H代替IMZA120R030M1H，可以将联合温度降低至3°C。因此，在软开关拓扑结构中，建议使用较低的G2使用G2较低并替换G1具有更大的电阻性。以下是用于参考的TO-247-4软件包的G2选择表。摘要r ds（ON）是评估MOSFET SIC的重要考虑因素，但不是唯一的参数。选择MOSFET G2 COOLSIC™产品时，不可能简单地相信在室温下RDS（ON）的价值，而是诸如电路拓扑，开关频率及其之类的因素必须考虑MAL耗散条件。最好通过模拟决定最终选择。
